Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 12,8 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 190 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima | 3.7V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220SIS |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Modo de Canal | Mejora |
Disipación de Potencia Máxima | 40 W |
Ancho | 4.5mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Longitud | 10mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 38 nC a 10 V |
Altura | 15mm |
Serie | TK |
Material del transistor | Si |
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