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Transistor STP26NM60N MOSFET Canal N 600V 20A (Cinta de correr)

Transistor STP26NM60N MOSFET Canal N 600V 20A (Cinta de correr)

Cod. 19702
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Disponibilidad: Tiempo Aproximado de entrega:
12,00€
IVA Incluido
Características Accesorios/Descargas Comentarios (0)
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 165 mΩ
Tensión de umbral de puerta máxima 4V
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V, +25 V
Tipo de Encapsulado TO-220
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Configuración de transistor Simple
Conteo de Pines 3
Modo de Canal Mejora
Categoría MOSFET de potencia
Disipación de Potencia Máxima 140 W
Dimensiones 10.4 x 4.6 x 15.75mm
Longitud 10.4mm
Material del transistor Si
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 13 ns
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 1800 pF a 50 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs 60 nC a 10 V
Altura 15.75mm
Serie MDmesh
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 85 ns
Número de Elementos por Chip 1
Ancho 4.6mm
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