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Transistor MDF11N60BTH MOSFET Canal N 660V 11A

Transistor MDF11N60BTH MOSFET Canal N 660V 11A

Cod. 20111
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5,00€
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Características Accesorios/Descargas Comentarios (0)
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 660 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 550 mΩ
Tensión de umbral de puerta máxima 5V
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V
Tipo de Encapsulado TO-220F
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Configuración de transistor Simple
Modo de Canal Mejora
Disipación de Potencia Máxima 49 W
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 38 ns
Material del transistor Si
Dimensiones 10.71 x 4.93 x 16.13mm
Longitud 10.71mm
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 76 ns
Transconductancia directa 13S
Tensión de diodo directa 1.4V
Ancho 4.93mm
Número de Elementos por Chip 1
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Altura 16.13mm
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 1700 pF a 25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs 38,4 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
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