Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 22 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 360 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
Disipación de Potencia Máxima | 500 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Material del transistor | Si |
Ancho | 5.3mm |
Altura | 21.46mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Serie | HiperFET, Polar3 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 38 nC a 10 V |
Longitud | 16.26mm |
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