Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 31 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 24 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima | 45 W |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1300 pF a 25 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 65 nC a 10 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 7,3 ns |
Material del transistor | Si |
Dimensiones | 10.75 x 4.83 x 9.8mm |
Longitud | 10.75mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Serie | HEXFET |
Altura | 9.8mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 4.83mm |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 47 ns |
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