Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 8 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 850 mΩ |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Configuración de transistor | Simple |
Conteo de Pines | 3 |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima | 125 W |
Ancho | 4.7mm |
Longitud | 10.41mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 38 nC a 10 V |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1018 pF a 25 V |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 26 ns |
Material del transistor | Si |
Altura | 9.01mm |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 11 ns |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Dimensiones | 10.41 x 4.7 x 9.01mm |
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