Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 24 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 190 mΩ |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Tipo de Encapsulado | TO-3PN |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Configuración de transistor | Simple |
Conteo de Pines | 2 |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | Alta Tensión |
Disipación de Potencia Máxima | 270 W |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 5mm |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 164 ns |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 3120 pF a 25 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 65 nC a 10 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 47 ns |
Material del transistor | Si |
Dimensiones | 15.8 x 5 x 20.1mm |
Longitud | 15.8mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Altura | 20.1mm |
Serie | UniFET |
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