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Transistor FDA18N50 MPSFET Canal N 500V 19A

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Cod. 20459
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Características Accesorios/Descargas Comentarios (0)
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 500 V
Tipo de Encapsulado TO-3P
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 265 mΩ
Modo de Canal Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima 3V
Disipación de Potencia Máxima 239 W
Configuración de transistor Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip 1
Ancho 5mm
Longitud 15.8mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Material del transistor Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs 45 nC a 10 V
Serie UniFET
Altura 18.9mm
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