Tipo de Canal | P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 4,2 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V |
Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 113 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 0.9V |
Disipación de Potencia Máxima | 1,4 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -8 V, +8 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 3mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 7,6 nC a 4,5 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Ancho | 1.4mm |
Material del transistor | Si |
Altura | 1.1mm |
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