Características
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| Tipo FET | Canal N |
|---|---|
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC | 56 A (Tc) |
| Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 5 V |
| Vgs(th) (máx.) en Id | 2.1 V a 1 mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 20.5 nC a 5 V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2651pF a 25V |
| Vgs (máx.) | ±10 V |
| Característica de FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 96 W (Tc) |
| Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C | 12.8 mOhm a 15 A, 10 V |
| Temperatura de operación | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montaje en superficie |
| Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / Caja (carcasa) | TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB |
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