Características
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| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 500 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5 Ω |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.8V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Configuración de transistor | Simple |
| Conteo de Pines | 3 |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 830 mW |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 24 pF a 10 V |
| Dimensiones | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
| Ancho | 4.19mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 5.33mm |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Longitud | 5.2mm |
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