Características
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| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 900 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 4,3 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | +30 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220SIS |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 40 W a 25 °C |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 60 ns |
| Ancho | 4.5mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tensión de diodo directa | -1.9V |
| Transconductancia directa | 2.6S |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 125 ns |
| Material del transistor | Si |
| Dimensiones | 10 x 4.5 x 15mm |
| Longitud | 10mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 17 nC a 10 V |
| Altura | 15mm |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 700 pF a 25 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
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