Características
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| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 500 mA |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 80 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-39 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Disipación de Potencia Máxima | 800 mW |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 20 |
| Tensión Base Máxima del Colector | 120 V |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 7 V |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 9.4mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65 °C |
| Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor | 5 V |
| Altura | 6.6mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Longitud | 9.4mm |
| Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor | 1,3 V |
| Dimensiones | 6.6 x 9.4 x 9.4mm |
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