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Transistor STW11NB80 Canal N 800V 11A (12NK80Z)

Ref. 33566
Cod. 12186
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Disponibilidad: Tiempo Aproximado de entrega:
5,71€
IVA Incluido
Características Accesorios/Descargas Comentarios (0)
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 800mOhm a 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2900pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 190W (Tc)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
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