Características
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Carasteristicas:
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2,3 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 20 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 112 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.4V |
| Disipación de Potencia Máxima | 860 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -8 V, +8 V |
| Ancho | 1.4mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 3,3 nC a 2,5 V, 5,5 nC a 4,5 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 3.04mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1.02mm |
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