Transistor SH1004B MOSFET Canal N 100V 190A (JMSH1004AC)

Carasteristicas:

• Máxima disipación de potencia: 250 W
• Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
• Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
• Corriente continua de drenaje: 190 A
• Temperatura máxima de unión: 175 °C
• Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
• Carga de la puerta: 66 nC
• Tiempo de subida: 37 nS
• Capacitancia de salida: 1361 pF
• Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
• Paquete / Cubierta: TO220