| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,2 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,8 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220FP |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 30 W |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 20 ns |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 10.4mm |
| Dimensiones | 10.4 x 4.6 x 9.3mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Ancho | 4.6mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 9.3mm |
| Serie | MDmesh, SuperMESH |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 45 ns |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 40 nC a 10 V |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1138 pF a 25 V |