Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,2 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,8 Ω |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220FP |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima | 30 W |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 20 ns |
Material del transistor | Si |
Longitud | 10.4mm |
Dimensiones | 10.4 x 4.6 x 9.3mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Ancho | 4.6mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Altura | 9.3mm |
Serie | MDmesh, SuperMESH |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 45 ns |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 40 nC a 10 V |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1138 pF a 25 V |
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