| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 50 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 22 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 131 W |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 125 nC a 20 V |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 2020 pF a 25 V |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 37 ns |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 12 ns |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 4.83mm |
| Dimensiones | 10.67 x 4.83 x 9.4mm |
| Longitud | 10.67mm |
| Altura | 9.4mm |
| Serie | MegaFET |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |