| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 11 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 660 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 550 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220F |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Disipación de Potencia Máxima | 49 W |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 38 ns |
| Material del transistor | Si |
| Dimensiones | 10.71 x 4.93 x 16.13mm |
| Longitud | 10.71mm |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 76 ns |
| Transconductancia directa | 13S |
| Tensión de diodo directa | 1.4V |
| Ancho | 4.93mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 16.13mm |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1700 pF a 25 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 38,4 nC a 10 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |