Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 11 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 660 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 550 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220F |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Modo de Canal | Mejora |
Disipación de Potencia Máxima | 49 W |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 38 ns |
Material del transistor | Si |
Dimensiones | 10.71 x 4.93 x 16.13mm |
Longitud | 10.71mm |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 76 ns |
Transconductancia directa | 13S |
Tensión de diodo directa | 1.4V |
Ancho | 4.93mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Altura | 16.13mm |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1700 pF a 25 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 38,4 nC a 10 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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