Transistor IXFR64N50P MOSFET Canal N 500V 37A

Carasteristicas:

• Máxima disipación de potencia: 300 W
• Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
• Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
• Corriente continua de drenaje: 37 A
• Temperatura máxima de unión: 150 °C
• Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.5 V
• Carga de la puerta: 150 nC
• Tiempo de subida: 200 nS
• Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
• Encapsulados: ISOPLUS247