Características
Accesorios/Descargas
Comentarios (0)
Video
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 60 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 14 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Configuración de transistor | Simple |
| Conteo de Pines | 3 |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 110 W |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 14 ns |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 6.22mm |
| Altura | 2.39mm |
| Serie | HEXFET |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Longitud | 6.73mm |
| Dimensiones | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 24 ns |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 23 nC a 5 V |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 1570 pF a 25 V |
No hay información disponible
Aún no hay comentarios, ¿quieres ser el primero en dejar uno? ¡Tu opinión nos interesa!
