Tipo de Canal |
N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje |
28 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente |
55 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente |
65 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima |
2V |
Tensión de umbral de puerta mínima |
1V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente |
-16 V, +16 V |
Tipo de Encapsulado |
DPAK (TO-252) |
Tipo de Montaje |
Montaje superficial |
Configuración de transistor |
Simple |
Conteo de Pines |
3 |
Modo de Canal |
Mejora |
Categoría |
MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima |
68 W |
Número de Elementos por Chip |
1 |
Ancho |
6.22mm |
Longitud |
6.73mm |
Dimensiones |
6.73 x 6.22 x 2.39mm |
Material del transistor |
Si |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico |
8,9 ns |
Temperatura de Funcionamiento Mínima |
-55 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs |
25 nC a 5 V |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds |
880 pF a 25 V |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico |
21 ns |
Altura |
2.39mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento |
+175 °C |
Serie |
HEXFET |