Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 116 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima | 1V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Configuración de transistor | Simple |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima | 180 W |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 3290 pF a 25 V |
Ancho | 4.69mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Material del transistor | Si |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 11 ns |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 23 ns |
Altura | 8.77mm |
Longitud | 10.54mm |
Dimensiones | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
Serie | HEXFET |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 60 nC a 4,5 V |
IVA INCLUIDO EN TODOS LOS PRECIOS | PVPS VÁLIDOS SALVO ERROR TIPOGRÁFICO
Copyright © Planeta Electrónico 2014 - Tienda de Electrónica y componentes electrónicos online
Todos los derechos reservados