Tipo de Canal |
N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje |
29 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente |
55 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente |
40 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima |
4V |
Tensión de umbral de puerta mínima |
2V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente |
±20 V |
Tipo de Encapsulado |
TO-220AB |
Tipo de Montaje |
Montaje en orificio pasante |
Configuración de transistor |
Simple |
Conteo de Pines |
3 |
Modo de Canal |
Mejora |
Categoría |
MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima |
68 W |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds |
700 pF a 25 V |
Altura |
8.77mm |
Serie |
HEXFET |
Temperatura Máxima de Funcionamiento |
+175 °C |
Número de Elementos por Chip |
1 |
Material del transistor |
Si |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico |
7 ns |
Temperatura de Funcionamiento Mínima |
-55 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs |
34 nC a 10 V |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico |
31 ns |