Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 3,1 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.000 V |
Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
Disipación de Potencia Máxima | 125 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Ancho | 4.7mm |
Material del transistor | Si |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 80 nC a 10 V |
Longitud | 10.41mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 9.01mm |
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