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Transistor IRFB5615 MOSFET Canal N 150V 35A

Cod. 19015
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Disponibilidad: Tiempo Aproximado de entrega:
2,42€
IVA Incluido
Características Accesorios/Descargas Comentarios (0)
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 35 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 150 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 39 mΩ
Tensión de umbral de puerta máxima 5V
Tensión de umbral de puerta mínima 3V
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
Tipo de Encapsulado TO-220AB
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Configuración de transistor Simple
Modo de Canal Mejora
Categoría MOSFET de potencia
Disipación de Potencia Máxima 144 W
Número de Elementos por Chip 1
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 17,2 ns
Carga Típica de Puerta @ Vgs 26 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Dimensiones 10.67 x 4.83 x 9.02mm
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 1750 pF a 50 V
Longitud 10.67mm
Altura 9.02mm
Serie HEXFET
Material del transistor Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 8,9 ns
Ancho 4.83mm

 

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