Características
Accesorios/Descargas
Comentarios (0)
Muy utilizado en ETAPA de POTENCIA
Carasteristicas:
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 65 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 24 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
| Disipación de Potencia Máxima | 330 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Ancho | 4.82mm |
| Longitud | 10.66mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 70 nC a 10 V |
| Material del transistor | Si |
| Serie | HEXFET |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Altura | 9.02mm |
No hay información disponible
Aún no hay comentarios, ¿quieres ser el primero en dejar uno? ¡Tu opinión nos interesa!
