Transistor IRF9Z24N MOSFET Canal P 55V 12A

Carasteristicas:

• Máxima disipación de potencia: 45 W
• Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
• Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
• Corriente continua de drenaje: 12 A
• Temperatura máxima de unión: 175 °C
• Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
• Carga de la puerta: 19 max nC
• Tiempo de subida: 55 nS
• Capacitancia de salida: 170 pF
• Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
• Encapsulados: TO220AB