Tipo de Canal |
P |
Corriente Máxima Continua de Drenaje |
11 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente |
200 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente |
500 mΩ |
Tensión de umbral de puerta mínima |
2V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente |
-20 V, +20 V |
Tipo de Encapsulado |
TO-220AB |
Tipo de Montaje |
Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines |
3 |
Configuración de transistor |
Simple |
Modo de Canal |
Mejora |
Categoría |
MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima |
125 W |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds |
1200 pF a 25 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs |
44 nC a 10 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima |
-55 °C |
Temperatura Máxima de Funcionamiento |
+150 °C |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico |
14 ns |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico |
39 ns |
Número de Elementos por Chip |
1 |
Ancho |
4.7mm |
Altura |
9.01mm |
Dimensiones |
10.41 x 4.7 x 9.01mm |
Longitud |
10.41mm |
Material del transistor |
Si |