| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 9 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 400 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 75 W |
| Serie | STripFET |
| Altura | 9.15mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 4.6mm |
| Dimensiones | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Longitud | 10.4mm |
| Material del transistor | Si |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 10 ns |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 31 nC a 10 V |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 540 pF a 25 V |