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Transistor IRF3710S SMD > smd > componentes electronicos > transistores
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Transistor IRF3710S SMD

Ref. SMDIRF3710
Cod. 14184
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Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 57 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 100 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 23 mΩ
Tensión de umbral de puerta máxima 4V
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V
Tipo de Encapsulado D2PAK
Tipo de Montaje Montaje superficial
Conteo de Pines 3
Configuración de transistor Simple
Modo de Canal Mejora
Categoría MOSFET de potencia
Disipación de Potencia Máxima 200 W
Carga Típica de Puerta @ Vgs 130 nC a 10 V
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 3130 pF a 25 V
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 12 ns
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 45 ns
Ancho 9.65mm
Material del transistor Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Número de Elementos por Chip 1
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Dimensiones 10.67 x 9.65 x 4.83mm
Serie HEXFET
Altura 4.83mm
Longitud 10.67mm
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