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Transistor SiHG30N60E-GE3
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Transistor HGTG30N60C3D Canal N 600V 29A

Ref. 2463194
Cod. 12185
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Disponibilidad: Tiempo Aproximado de entrega:
8,74€
IVA Incluido
Características Accesorios/Descargas Comentarios (0)
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 29 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 125 mΩ
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V
Tipo de Encapsulado TO-247AC
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Configuración de transistor Simple
Conteo de Pines 3
Modo de Canal Mejora
Categoría MOSFET de potencia
Disipación de Potencia Máxima 250 W
Ancho 5.31mm
Número de Elementos por Chip 1
Altura 20.82mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Longitud 15.87mm
Dimensiones 15.87 x 5.31 x 20.82mm
Material del transistor Si
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 19 ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs 85 nC a 10 V
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 2600 pF a 10 V
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 63 ns
Serie E Series

 

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