| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 9 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 850 mΩ |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220F |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Configuración de transistor | Simple |
| Conteo de Pines | 3 |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | MOSFET de potencia |
| Disipación de Potencia Máxima | 44 W |
| Longitud | 10.36mm |
| Dimensiones | 10.36 x 4.9 x 16.07mm |
| Material del transistor | Si |
| Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 18 ns |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 28 nC a 10 V |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 790 pF a 25 |
| Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 93 ns |
| Ancho | 4.9mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Altura | 16.07mm |
| Serie | QFET |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |