Tipo de Canal |
N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje |
24 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente |
500 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente |
190 mΩ |
Tensión de umbral de puerta mínima |
3V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente |
-30 V, +30 V |
Tipo de Encapsulado |
TO-3PN |
Tipo de Montaje |
Montaje en orificio pasante |
Configuración de transistor |
Simple |
Conteo de Pines |
2 |
Modo de Canal |
Mejora |
Categoría |
Alta Tensión |
Disipación de Potencia Máxima |
270 W |
Número de Elementos por Chip |
1 |
Ancho |
5mm |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico |
164 ns |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds |
3120 pF a 25 V |
Carga Típica de Puerta @ Vgs |
65 nC a 10 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima |
-55 °C |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico |
47 ns |
Material del transistor |
Si |
Dimensiones |
15.8 x 5 x 20.1mm |
Longitud |
15.8mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento |
+150 °C |
Altura |
20.1mm |
Serie |
UniFET |