| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 19 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-3P |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 265 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
| Disipación de Potencia Máxima | 239 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 5mm |
| Longitud | 15.8mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 45 nC a 10 V |
| Serie | UniFET |
| Altura | 18.9mm |