Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 19 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
Tipo de Encapsulado | TO-3P |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 265 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Disipación de Potencia Máxima | 239 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 5mm |
Longitud | 15.8mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Material del transistor | Si |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 45 nC a 10 V |
Serie | UniFET |
Altura | 18.9mm |
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