Transistor CRJQ190N65GCF MOSFET Canal N 650V 20.06A (FCH190N65)

Carasteristicas:

• Máxima disipación de potencia: 208 W
• Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
• Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
• Corriente continua de drenaje: 20.6 A
• Temperatura máxima de unión: 150 °C
• Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
• Carga de la puerta: 60 nC
• Tiempo de subida: 11 nS
• Capacitancia de salida: 78 pF
• Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
• Paquete / Cubierta: TO247