Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 500 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 5 Ω |
Tensión de umbral de puerta mínima | 0.8V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Tipo de Encapsulado | TO-92 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Configuración de transistor | Simple |
Conteo de Pines | 3 |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima | 830 mW |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 24 pF a 10 V |
Dimensiones | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
Ancho | 4.19mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Altura | 5.33mm |
Material del transistor | Si |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Longitud | 5.2mm |
IVA INCLUIDO EN TODOS LOS PRECIOS | PVPS VÁLIDOS SALVO ERROR TIPOGRÁFICO
Copyright © Planeta Electrónico 2014 - Tienda de Electrónica y componentes electrónicos online
Todos los derechos reservados