Características
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| Tipo de Transistor | NPN |
| Corriente DC Máxima del Colector | 100 mA |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 45 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-92 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Disipación de Potencia Máxima | 500 mW |
| Ganancia Mínima de Corriente DC | 110 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Base Máxima del Colector | 50 V |
| Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V |
| Frecuencia Máxima de Funcionamiento | 1 MHz |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor | 600 mV |
| Longitud | 4.58mm |
| Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor | 900 mV |
| Dimensiones | 4.58 x 3.86 x 4.58mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 4.58mm |
| Ancho | 3.86mm |
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