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Transistor AO4466 MOSFET Canal N 30V 10A SMD

Cod. 20513
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4,00€
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Características Accesorios/Descargas Comentarios (0)
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 23mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8,6nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 448pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1W (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (ancho 0.154", 3.90mm)
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