Características
Accesorios/Descargas
Comentarios (0)
Carasteristicas:
|
Tipo FET
|
Canal P
|
|
|
Tecnología
|
MOSFET (óxido de metal)
|
|
|
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
|
30 V
|
|
|
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
|
4 A (Ta)
|
|
|
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
|
2.5V, 10V
|
|
|
Rds On (máx) @ Id, Vgs
|
50mOhm a 4A, 10V
|
|
|
Vgs(th) (máx) a Id
|
1.3V a 250µA
|
|
|
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
|
14 nC @ 10 V
|
|
|
Vgs (máx.)
|
±12V
|
|
|
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
|
645 pF @ 15 V
|
|
|
Característica de FET
|
-
|
|
|
Disipación de potencia (Máx.)
|
1.4W (Ta)
|
|
|
Temperatura de funcionamiento
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
|
Tipo de montaje
|
Montaje en superficie
|
|
|
Paquete del dispositivo del proveedor
|
SOT-23-3
|
No hay información disponible
Aún no hay comentarios, ¿quieres ser el primero en dejar uno? ¡Tu opinión nos interesa!
