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Transistor 2SK2917 MOSFET Canal N 500V 18A

Transistor 2SK2917 MOSFET Canal N 500V 18A

Cod. 20575
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Características Accesorios/Descargas Comentarios (0)
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 18 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 270mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3720pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 90W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P(N)IS
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