Tipo de Canal |
N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje |
115 mA |
Tensión Máxima Drenador-Fuente |
60 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente |
7,5 Ω |
Tensión de umbral de puerta mínima |
1V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente |
-20 V, +20 V |
Tipo de Encapsulado |
SOT-23 |
Tipo de Montaje |
Montaje superficial |
Conteo de Pines |
3 |
Configuración de transistor |
Simple |
Modo de Canal |
Mejora |
Categoría |
Pequeña señal |
Disipación de Potencia Máxima |
200 mW |
Material del transistor |
Si |
Número de Elementos por Chip |
1 |
Ancho |
1.3mm |
Dimensiones |
2.92 x 1.3 x 0.93mm |
Longitud |
2.92mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento |
+150 °C |
Altura |
0.93mm |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds |
20 pF a 25 V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima |
-55 °C |