Características
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| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 115 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7,5 Ω |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-23 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Modo de Canal | Mejora |
| Categoría | Pequeña señal |
| Disipación de Potencia Máxima | 200 mW |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Ancho | 1.3mm |
| Dimensiones | 2.92 x 1.3 x 0.93mm |
| Longitud | 2.92mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Altura | 0.93mm |
| Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 20 pF a 25 V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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