Transistor 4N60 AOTF MOSFET Canal N 600V 4A

Transistor 4N60 AOTF MOSFET Canal N 600V 4A

Ref. 4N60
Cod. 15120
Disponibilidad: Tiempo Aproximado de entrega:
2,36€
IVA Incluido
Características
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
309mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1205 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Orificio pasante