Características
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Especificaciones:
| Corriente Directa Media de Pico | 2A |
| Tipo de Puente | Monofásico |
| Tensión Repetitiva Inversa de Pico | 1000V |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Encapsulado | WOBM |
| Conteo de Pines | 4 |
| Tipo de Diodo | Conexión de silicio |
| Tecnología de diodo | Conexión de silicio |
| Configuración | Único |
| Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico | 40A |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Tensión Directa de Pico | 1.1V |
| Corriente Inversa de Pico | 1mA |
| Dimensiones | 9.8 (Dia.) x 4.6mm |
| Altura | 4.6mm |
| Diámetro | 9.8mm |
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