Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 28 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 65 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Configuración de transistor | Simple |
Conteo de Pines | 3 |
Modo de Canal | Mejora |
Categoría | MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima | 68 W |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 6.22mm |
Longitud | 6.73mm |
Dimensiones | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
Material del transistor | Si |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico | 8,9 ns |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 25 nC a 5 V |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds | 880 pF a 25 V |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico | 21 ns |
Altura | 2.39mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
Serie | HEXFET |
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