Tipo de Canal |
N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje |
57 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente |
100 V |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente |
25 mΩ |
Tensión de umbral de puerta máxima |
4V |
Tensión de umbral de puerta mínima |
2V |
Tensión Máxima Puerta-Fuente |
±20 V |
Tipo de Encapsulado |
TO-247AC |
Tipo de Montaje |
Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines |
3 |
Configuración de transistor |
Simple |
Modo de Canal |
Mejora |
Categoría |
MOSFET de potencia |
Disipación de Potencia Máxima |
200 W |
Tiempo de Retardo de Encendido Típico |
14 ns |
Capacitancia de Entrada Típica @Vds |
3000 pF a 25 V |
Material del transistor |
Si |
Altura |
20.3mm |
Serie |
HEXFET |
Temperatura Máxima de Funcionamiento |
+175 °C |
Número de Elementos por Chip |
1 |
Ancho |
5.3mm |
Longitud |
15.9mm |
Dimensiones |
15.9 x 5.3 x 20.3mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima |
-55 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs |
190 nC a 10 V |
Tiempo de Retardo de Apagado Típico |
58 ns |